Добавить в избранное
Форум
Правила сайта "Мир Книг"
Группа в Вконтакте
Подписка на книги
Правообладателям
Найти книгу:
Навигация
Вход на сайт
Регистрация



Реклама



Название: Characterization of Wide Bandgap Power Semiconductor Devices
Автор: Fei Wang, Zheyu Zhang
Издательство: The Institution of Engineering and Technology
Год: 2018
Формат: PDF
Размер: 78 Мб
Язык: английский / English

At the heart of modern power electronics converters are power semiconductor switching devices. The emergence of wide bandgap (WBG) semiconductor devices, including silicon carbide and gallium nitride, promises power electronics converters with higher efficiency, smaller size, lighter weight, and lower cost than converters using the established silicon-based devices. However, WBG devices pose new challenges for converter design and require more careful characterization, in particular due to their fast switching speed and more stringent need for protection.

Characterization of Wide Bandgap Power Semiconductor Devices presents comprehensive methods with examples for the characterization of this important class of power devices. After an introduction, the book covers pulsed static characterization; junction capacitance characterization; fundamentals of dynamic characterization; gate drive for dynamic characterization; layout design and parasitic management; protection design for double pulse test; measurement and data processing for dynamic characterization; cross-talk consideration; impact of three-phase system; and topology considerations.







ОТСУТСТВУЕТ ССЫЛКА/ НЕ РАБОЧАЯ ССЫЛКА ЕСТЬ РЕШЕНИЕ, ПИШИМ СЮДА!







Автор: black 27-09-2018, 18:47 | Напечатать |
 
Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь.





С этой публикацией часто скачивают:

Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикации.


 MirKnig.Su  ©2024     При использовании материалов библиотеки обязательна обратная активная ссылка    Политика конфиденциальности