Добавить в избранное
Форум
Правила сайта "Мир Книг"
Группа в Вконтакте
Подписка на книги
Правообладателям
Найти книгу:
Навигация
Вход на сайт
Регистрация



Реклама



Название: Физика и моделирование нанотранзисторов
Автор: Кругляк Ю.А.
Издательство: Одесса: Изд-во ТЭС
Год: 2018
Формат: PDF
Страниц: 314
Для сайта: Mirknig.su
Размер: 14 mb
Язык: русский

Книга посвящена физике и моделированию полевых транзисторов с акцентом на короткоканальные микро- и современные нанотранзисторы типа МДП-транзистора с изолированным затвором MOSFET, полевого транзистора с высокой подвижностью электронов III-V HEMT, транзисторов на чрезвычайно тонкой КНИ-подложке ETSOI, в том числе с затворами DG и GAA, с каналами NW и CNT, транзисторов FinFET, однако, развитые подходы применимы и к транзисторам типа JFET, MESFET, BJT и им подобным. Рассматривается физическое устройство, метрика и управление FET, теория MOSFET дается сначала в традиционном изложении, затем формулируются начала модели виртуального истока, приближение истощения на фоне уравнение Пуассона, обсуждается подвижный электронный заряд в массивной структуре MOS и в исключительно тонкой SOI, из 2D электростатики MOS подробно рассматриваются DIBL, геометрическое экранирование, емкостная модель, масштабирование транзисторов, их пробой.

Во второй части достаточно подробно излагается обобщенная транспортная модель Ландауэра – Датта – Лундстрома сначала применительно к 2D баллистическим MOSFET, затем баллистическая модель объединяется с моделью виртуального истока, качественно обсуждается рассеяние электронов в канале проводимости и строится модель прохождения MOSFET, которая затем объединяется с моделью виртуального истока в финальный, наиболее современный ныне вариант модели MVS-прохождения, иллюстрируемой примерами обработки экспериментальных выходных характеристик нанотранзисторов ETSOI MOSFET и III-V HEMT.
В заключение обсуждаются фундаментальные пределы и ограничения Si FET, квантовый транспорт в MOSFET с длиной канала менее 10 нм, упрощающие допущения и неясные вопросы в модели MVS-прохождения, а также полевой транзистор рассматривается с позиций наноэлектроники «снизу – вверх».









Нерабочая ссылка? Вам СЮДА


Успейте скачать!!!
Ссылки на скачивание книг ЗАПРЕЩЕННЫХ ИЗДАТЕЛЬСТВ удаляются через 3 дня с момента публикации и заменяются (по договору с АЗАПИ) партнерскими ссылками магазина LITRES!



Автор: na5ballov 11-01-2019, 20:39 | Напечатать |
 
Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь.





С этой публикацией часто скачивают:

Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикации.


 MirKnig.Su  ©2018     При использовании материалов библиотеки обязательна обратная активная ссылка    Политика конфиденциальности