Предисловие 7
Введение 9
Глава I. Модельные представления о механизме электро проводности 3d - окислов 13
§ 1.1. Предварительные замечания 13
§ 1.2. Некоторые кристаллографические и физические свойства шпинелей 15
§ 1.3. Основные представления электростатической теории кристаллического поля 23
§ 1.4. Модельные представления о механизме электропроводности 3d - окислов и способы получения оксидных полупроводников с заданной вели чиной удельного сопротивления 30
Глава II. Феноменологическая теория электропроводности 3d - окислов 45
§ 2.1. Энергетический спектр валентных электронов в 3d - окислах в рамках представлений «механизма перескоков» 45
§ 2.2. Некоторые вопросы статистики электронов в 3d - окислах 50
§ 2.3. Основные представления механизма перескоков 57
§ 2.4. Некоторые результаты квантовомеханической теории электропроводности в 3d - окислах 69
§ 2.5. Об электрических свойствах чистых и легированных окислов типа NiO 76
Глава III. Фазовое равновесие в системах окислов марганца, кобальта, никеля и меди 91
§ 3.1. Введение 91
§ 3.2. Система CuО — MnO — O(два) 95
§ 3.3. Система СoО — MnО — O(два) 101
§ 3.4. Система NiO — MnО — O(два) 106
§ 3.5. Система СоО — NiО — O(два) 111
§ 3.6. Система СоО — CuО — O(два) 114
§ 3.7. Система NiO — CuО — O(два) 117
§ 3.8. Тройные системы окислов марганца, кобальта, никеля и меди 119
Глава IV. Электропроводность полупроводников в системах окислов марганца, кобальта, никеля и меди 125
§ 4.1. Электропроводность как функция катионного состава полупроводников 125
4.1.1. Двойные системы окислов Mn, Со, Ni и Cu 125
4.1.2. Тройные системы окислов Mn, Со, Ni и Cu 139
§ 4.2. Роль поликристалличности в электропроводности полупроводников 151
§ 4.3. Электропроводность и термо - э.д.с. в системах окислов марганца, кобальта, никеля и меди. 159
§ 4.4. Электропроводность и валентные состояния катионов в системах окислов марганца, кобальта, никеля и меди 171
Глава V. Повторная термообработка как способ регулирования электропроводности полупроводников в системах окислов марганца, кобальта, никеля и меди 193
§ 5.1. Термическая устойчивость «марганцевых» полупроводников в вакууме 193
§ 5.2. Зависимость электропроводности «марганцевых» полупроводников от изменений кристалkической структуры 200
§ 5.3. Поверхностное окисление зерен и его роль в электропроводности «марганцевых» полупроводников 204
§ 5.4. Влияние термообработки на электропроводность «безмарганцевых» полупроводников. 217
Глава VI. Полупроводниковые твердые растворы на основе титаната бария 229
§ 6.1. Предварительные замечания 229
§ 6.2. Зависимость электропроводности от концентрации легирующей добавки 232
§ 6.3. Электропроводность полупроводниковых титанатов бария 240
§ 6.4. Электропроводность полупроводниковых твердых растворов на основе титаната бария в области сегнето-параэлектрического фазового перехода 251
Глава VII. Основы технологии изготовления терморезисторов 265
§ 7.1. Основные требования, предъявляемые к полупроводниковым материалам 265
§ 7.2. Основы технологии изготовления терморезисторов с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления на основе смесей окислов Mn, Co, Ni и Cu 266
§ 7.3. Особенности технологического процесса изготовления позисторов 274
Глава VIII. Основные параметры и характеристики терморезисторов 277
§ 8.1. Основные параметры терморезисторов 278
§ 8.2. Температурная зависимость сопротивления 280
§ 8.3. Статические вольт-амперные характеристики 284
§ 8.4. Динамические характеристики 300
Глава IX. Терморезисторы в современной технике 303
§ 9.1. Основные принципы работы терморезисторов в схемах 303
§ 9.2. Малые нагрузки 305
9.2.1. Измерение и регулирование температур 305
9.2.2. Температурная компенсация 309
9.2.3. Температурная стабилизация транзисторных усилительных устройств 311
9.2.4. Тепловая защита электродвигателей 312
§ 9.3. Большие нагрузки 313
9.3.1. Схемы автоматического регулирования и сигнализации, основанные на релейном эффекте 313
9.3.2. Стабилизация напряжения 319
9.3.3. Саморегулирующиеся позисторные термостаты 320
9.3.4. Пусковые устройства на основе терморезисторов 325
9.3.5. Измерение мощности на ультравысокой частоте 326
9.3.6. Позистор в схеме размагничивания кинескопов цветных телевизоров 327
9.3.7 Автоколебания в цепях позистора и терморезистора с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления 328
§ 9.4. Терморезисторы с косвенным подогревом 331
9.4.1. Основные электрические статические характеристики и параметры терморезисторов с косвенным подогревом 331
9.4.2. Переменные резисторы без скользящего контакта с дистанционным управлением 333
9.4.3. Измерение скоростей газов и жидкостей 335
Глава X. Промышленные типы терморезисторов 338
§ 10.1. Терморезисторы для измерения температур и теплового контроля 339
10.1.1. Терморезисторы с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления на средние рабочие температуры 339
10.1.2. Низкотемпературные и высокотемпературные терморезисторы 360
10.1.3. Позисторы 367
10.1.4. Некоторые новые направления в разработке терморезисторов 371
§ 10.2. Термокомпенсаторы 374
§ 10.3. Стабилизаторы напряжения 377
§ 10.4. Терморезисторы для автостабилизирующихся полупроводниковых термостатов 381
§ 10.5. Пусковые терморезисторы 386
§ 10.6. Измерители мощности 387
§ 10.7. Терморезисторы с косвенным подогревом 390
Заключение 395
Литература 397