Транзисторы на основе полупроводниковых гетероструктурКНИГИ » АППАРАТУРА
Название: Транзисторы на основе полупроводниковых гетероструктур Автор: Ковалев А.Н. Издательство: М.: МИСиС Год: 2011 Формат: pdf Страниц: 364 Размер: 31 mb Язык: Русский
Рассмотрены физические принципы работы наиболее распространенных приборов полупроводниковой электроники — биполярных и полевых транзисторов — в их современном модернизированном исполнении на основе гетероструктурных композиций. На их примере дан анализ нового направления электроники — гетероструктурной наноэлектроники. Это часть более масштабного направления, называемого нанотехнологией, и охватывает она разработку полупроводниковых приборов и устройств субмикронных размеров. Приведены примеры реализации транзисторов на основе гетеросистем из материалов Ge/Si и AIIIBV. Установлены зависимости между размерами активных областей, составом материала и параметрами прибора. Выполнено сравнение и оценка возможностей материалов и приборов на их основе. Рассмотрены механизмы формирования и условия получения гетероэпитаксиальных структур с квантовыми точками в системах Ge/Si и InAs/GaAs с учетом элементов самоорганизации при эпитаксии. Интерес к самоупорядоченным наноструктурам обусловлен созданием нанотранзисторов, а также фотоприемников и источников излучения в диапазоне длин волн 1,3...1,5 мкм.
Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь.
С этой публикацией часто скачивают:
Физика полупроводниковых приборов (1990) Название: Физика полупроводниковых приборов Автор: Викулин Иван Михайлович, Стафеев Виталий Иванович Издательство: Радио и связь Год: 1990 Формат:...
Физика полупроводниковых приборов. В 2-х кн. Название: Физика полупроводниковых приборов. В 2-х кн. Автор: Шур М. Издательство: Москва: Мир Год: 1992 Формат: pdf Размер: 37 mb Язык: Русский ...
Физика полупроводниковых приборов. В 2-х книгах Название: Физика полупроводниковых приборов. В 2-х книгах Автор: Зи С. Издательство: Мир Год: 1984 Формат: pdf Страниц: 456+456 Размер: 49 Mb Язык:...
Физика полупроводниковых приборов Название: Физика полупроводниковых приборов Автор: Лебедев А.И. Издательство: ФИЗМАТЛИТ Год: 2008 Формат: pdf Страниц: 487 Размер: 40 Mb Язык:...
Основная элементная база электронных устройств Название: Основная элементная база электронных устройств Автор: Масленников В.В. Издательство: М.: МИФИ Год: 2012 Страниц: 136 Формат: PDF Размер:...
Твердотельная электроника Название: Твердотельная электроника Автор: Гуртов В. А. Издательство: Техносфера Серия: Мир электроники Год издания: 2008 Страниц: 512 ISBN:...
Навигация
Вход на сайт
Реклама
Транзисторы на основе полупроводниковых гетероструктур 
