Название: Химическая связь в полупроводниках Автор: Сирота Н.Н. (ред.) Издательство: Минск: Наука и техника Год: 1969 Формат: PDF Страниц: 368 Для сайта: Mirknig.su Размер: 16 mb Язык: русский
Книга посвящена важнейшим проблемам химической связи в полупроводниках, металлах и других твердых телах. В ней приводятся результаты теоретического и экспериментального исследования природы химической связи на основе рентгенографического, рентгеноспектрального, нейтронографического анализов, данные термодинамического и термохимического исследований полупроводниковых соединений. Рассматриваются вопросы исследования физических и физико-химических свойств сложных полупроводников, анализируется связь физических свойств, зонной структуры, динамики кристаллической решетки с характером химической связи. Книга представляет большой интерес для специалистов, работающих в области физики и химии твердого тела и полупроводников, для аспирантов и студентов старших курсов физических, физико-химических и металлургических вузов.
Содержание:
Предисловие. Электронное строение и физические свойства кристаллов. Распределение электронов и свойства элементов. (К столетию открытия Периодического закона Д.И.Менделеева) (Н.Н.Сирота). О существовании квазичастичных возбуждений в модели однократно занятых орбит (на примере двухэлектронной системы) (Е.И.Чеглоков, В.М.Зеличенко). Квантовомеханические абсолютные расчеты молекул при учете всех электронов (Х.Пройс). Об энергетическом спектре гелиеподобных акцепторов (Н.С.Барышев, В. И.Беглов. К.Я.Штивельман). О применимости теории Сцигети к вычислению эффективных зарядов на атомах в полупроводниковых соединениях (С.А.Кутолин, Л.М.Остаповский, И.Г.Самойличенко, Г.К.Храмцова). Электронное строение и термоэлектрические свойства соединении переходных металлов (Ю.М.Горячев, Т.Г.Куценок, Л.И.Задворный). Химическая связь и электронная структура переходных металлов в арсениде галлия. II. Теория сдвига g-фактора ионов в 6S-состоянии (В.А.Преснов, В.К.Баженов, С.П.Федотов, Б.С.Азиков). О парамагнитном резонансе в двухатомных полупроводниках (В.К.Баженов, С.П.Федотов, Б.С.Азиков, В.А.Преснов). Спектры отражения халькогенидов сурьмы и висмута (С.Д.Шутов, В.В.Соболев, Ю.В.Попов, С.Н.Шестацкий). Температурная зависимость ширины запрещенной зоны, ее температурного коэффициента и некоторых других характеристик полупроводников (П.Г.Маслов, Ю.П.Маслов). Нейтронографическое исследование катионного распределения и магнитной структуры магний-цинковых ферритов (Н.Н.Сирота, Е.Ф.Нечай). Радиоспектрометр ЦР восьмимиллиметрового диапазона (В.И.Лукашева, Л.А.Курочкин). Рентгенографические и рентгеноспектральные исследования химической связи. Эмиссионные рентгеновские К-спектры кремния в силицидах хрома (В.П.Цветков, Н.Д.Савченко). Электронографическое исследование тонких пленок бромистого натрия (А.Г.Бунтарь, А.Ф.Марголина). Анизотропия рассеяния рентгеновых лучей и электронов кристаллами с кубической решеткой (А.Г.Бунтарь). О зависимости интенсивности отражения рентгеновских лучей от степени совершенства кристаллов фокусирующих монохроматоров (Н.М.Олехнович). Распределение электронной плотности и эффективные заряды в фосфиде индия (Н.Н.Сирота, Е.М.Гололобов, А.У.Шелег). Распределение плотности нескомпенсированных электронов в ферромагнитных соединениях MnАs, MnSb и MnBi (Н.Н.Сирота, Э.А.Васильев). Распределение потенциала в решетке фосфида галлия (Н.Н.Сирота, А.У.Шелег, Ж.А.Мацкевич). Динамика решетки кристаллов. Пространственная дисперсия диэлектрической постоянной и взаимодействие зарядов на малых расстояниях в кристаллах типа алмаза (Т.И.Кучер, К.Б.Толпыго). Сегнетоэлектрические колебания в соединениях типа Sb2S3 (И.П.Григас, А.С.Карпус). Расчет интенсивности диффузного рассеяния второго порядка для кристаллов со структурой сфалерита (Н.С.Орлова). Вакуумная температурная камера для дифрактометрических рентгеновских исследований (Н.Н.Сирота, Н.М.Олехнович, А.И.Олехнович). Определение среднеквадратичных динамических смещений ионов в селенидах цинка и кадмия (Н.Н.Сирота, В.Д.Янович). Температурная зависимость интенсивности брегговских рефлексов системы InxGa1-xSb (Н.Н.Сирота, Ф.А.Шипило). Термодинамические и термохимические исследования. Термодинамические свойства кристаллов в связи с характером и энергией межатомного взаимодействия (Н.Н.Сирота). Термодинамические свойства AlSb и твердых растворов AlSb—GaSb (В.В.Самохвал, А.А.Вечер, Е.П.Панько). Исследование термодинамических свойств селенида галлия Gа2Sе3 методом электродвижущих сил (А.С.Аббасов, К.Н.Мамедов, П.Г.Рустамов, П.К.Бабаева). Термодинамические свойства некоторых полупроводников (П.Г.Маслов, Ю.П.Маслов). Кинетические закономерности травления полупроводников типа AIV и AIIIBV (Г.М.Орлова). Энергия образования дефектов. Взаимосвязь между электронными процессами и образованием дефектов решетки в полупроводниках с ионным характером связи (В.Л.Винецкий, Г.А.Холодарь). Упругие и термические свойства кристаллов. О влиянии давления и температуры на скорость звука в ионных кристаллах (В.А.Жданов, В.Ф.Курилов, В.М.Рубцов). Взаимосвязь между скоростью распространения звука, массой атомов и энергией химического взаимодействия в твердых телах (С.В.Немилов). Сложные полупроводники. К вопросу о характере химического взаимодействия в тройных системах AII—BV—CVI (М.И.Головей, И.Д.Олексеюк, Е.Е.Семрад, М.И.Гурзан). Твердые растворы арсенида индия с соединениями типа AII—BVI и некоторые их свойства (А.В.Войцеховский, В.П.Дробязко, В.К.Митюрев). Исследование некоторых разрезов тройной системы In—As—Te (В.И.Бобров, В.Н.Ланге, С.И.Радауцан). О законе Вегарда в некоторых бинарных и псевдобинарных полупроводниковых системах (Ю.П.Келоглу, А.С.Федорко). Исследование твердых растворов на основе антимонида индия в системе In—Sb—Te (М.Я.Дашевский, Л.С.Окунь). Свойства полупроводниковых соединений и межатомная связь. Кристаллическая структура соединения Mn4Si7 (О.Г.Карпинский, Б.А.Евсеев). К физико-химической природе моносилицидов с решеткой типа FeSi (Б.К.Воронов, Л.Д.Дудкин, Н.Н.Трусова). О химической связи и свойствах высшего силицида марганца (Я.А.Угай, В.З.Анохин, Е.М.Авербах). Особенности физико-химического строения дисилицида хрома (Б.К.Воронов, Л.Д.Дудкин, Н.Н.Трусова). О влиянии валентности примесных атомов на характер химической связи в двуокиси олова (Я.А.Угай, В.В.Лавров, Е.М.Авербах). Правило аддитивности вкладов энергий связи в температуры плавления ковалентных полупроводников (В.М.Кошкин, Л.Г.Манюкова). Монохалькогениды редкоземельных элементов и их сплавы с полупроводниковым характером проводимости (Г.В.Лошкарев, Л.А.Иванченко, В.А.Оболончик, Т.М.Михлина, В.И.Лазоренко). Спектры поглощения и отражения твердого раствора 0,7InSb—0,3InAs в связи со структурой энергетических зон (Н.Н.Сирота, Э.И.Болванович). Магнитная восприимчивость твердых растворов InSb и InAs (Н.Н.Сирота, Ц.З.Виткина, Э.И.Болванович). Структура и физические свойства жидких и стеклообразных полупроводников. Свойства полупроводникового соединения GdGeP2 в кристаллическом и стеклообразном состоянии (И.И.Тычина, В.Г.Федотов, И.М.Иванова). К вопросу об энергетическом спектре электронов кристаллических и стеклообразных халькогенидов мышьяка (А.М.Андриеш, В.В.Соболев, Ю.В.Попов). Рефераты.
|