Название: Физика и моделирование нанотранзисторов Автор: Кругляк Ю.А. Издательство: Одесса: Изд-во ТЭС Год: 2018 Формат: PDF Страниц: 314 Для сайта:Mirknig.su Размер: 14 mb Язык: русский
Книга посвящена физике и моделированию полевых транзисторов с акцентом на короткоканальные микро- и современные нанотранзисторы типа МДП-транзистора с изолированным затвором MOSFET, полевого транзистора с высокой подвижностью электронов III-V HEMT, транзисторов на чрезвычайно тонкой КНИ-подложке ETSOI, в том числе с затворами DG и GAA, с каналами NW и CNT, транзисторов FinFET, однако, развитые подходы применимы и к транзисторам типа JFET, MESFET, BJT и им подобным. Рассматривается физическое устройство, метрика и управление FET, теория MOSFET дается сначала в традиционном изложении, затем формулируются начала модели виртуального истока, приближение истощения на фоне уравнение Пуассона, обсуждается подвижный электронный заряд в массивной структуре MOS и в исключительно тонкой SOI, из 2D электростатики MOS подробно рассматриваются DIBL, геометрическое экранирование, емкостная модель, масштабирование транзисторов, их пробой.
Во второй части достаточно подробно излагается обобщенная транспортная модель Ландауэра – Датта – Лундстрома сначала применительно к 2D баллистическим MOSFET, затем баллистическая модель объединяется с моделью виртуального истока, качественно обсуждается рассеяние электронов в канале проводимости и строится модель прохождения MOSFET, которая затем объединяется с моделью виртуального истока в финальный, наиболее современный ныне вариант модели MVS-прохождения, иллюстрируемой примерами обработки экспериментальных выходных характеристик нанотранзисторов ETSOI MOSFET и III-V HEMT. В заключение обсуждаются фундаментальные пределы и ограничения Si FET, квантовый транспорт в MOSFET с длиной канала менее 10 нм, упрощающие допущения и неясные вопросы в модели MVS-прохождения, а также полевой транзистор рассматривается с позиций наноэлектроники «снизу – вверх».
Физика полупроводниковых приборов. В 2-х книгах Название: Физика полупроводниковых приборов. В 2-х книгах Автор: Зи С. Издательство: Мир Год: 1984 Формат: pdf Страниц: 456+456 Размер: 49 Mb Язык:...
Радиотехнические схемы на полевых транзисторах Название: Радиотехнические схемы на полевых транзисторах Автор: Милехин А.Г. Издательство: Энергия Год: 1976 Страниц: 144 Формат: PDF, DJVU Размер:...
Усилители с полевыми транзисторами Автор: В. М. Немчинов, В. Г. Никитаев, М. А. Ожогин, В. В. Ляхович; Под ред. И. П. Степаненко Название: Усилители с полевыми транзисторами...
Основы теории транзисторов Название: Основы теории транзисторов Автор: Спиридонов Н.С. Издательство: К.: Техника Год: 1975 Страниц: 360 Формат: DJVU Размер: 11.5 Мб Язык:...
Информация
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикации.
Навигация
Вход на сайт
Реклама
Физика и моделирование нанотранзисторов 
