Зонная перекристаллизация градиентом температуры полупроводниковых материаловКНИГИ » ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Название: Зонная перекристаллизация градиентом температуры полупроводниковых материалов Автор: Лозовский В.Н., Лунин Л.С., Попов В.П. Издательство: Металлургия Год: 1987 Формат: pdf Страниц: 234 Размер: 22,5 Мб Язык: русский
Обобщены основные закономерности процесса, включающие кинетику и стабильность, перераспределение компонентов и совершенство кристаллической структуры выращиваемого материала. Проанализированы и сопоставлены с теорией экспериментальные результаты зонной перекристаллизации градиентом температуры кремния, германия, соединений типа А3В5 и других полупроводниковых материалов. Описаны аппаратура и методика проведения процесса как в лабораторных, так и в промышленных условиях. Рассмотрены возможности применения метода для физико-химических исследований и в электронике для формирования полупроводниковых структур на поверхности и в объеме кристалла. Книга предназначена для научных и инженерно-технических работников, специализирующихся в области физики, технологии полупроводниковых материалов и приборов.
Перестройка твёрдых тел на границах раздела фаз Название: Перестройка твёрдых тел на границах раздела фаз Автор: Мокроусов Г.М. Издательство: Томского университета Год: 1990 Формат: PDF Страниц:...
Основы физики полупроводниковых приборов Название: Основы физики полупроводниковых приборов Автор: Федотов Я.А. Издательство: Советское радио Год: 1969 Страниц: 592 Формат: DJVU Размер: 10.2...
Навигация
Вход на сайт
Реклама
Зонная перекристаллизация градиентом температуры полупроводниковых материалов 
