Название: Физика полупроводниковых преобразователей Автор: Сауров А.Н., Булярский С.В. Издательство: Ин-т нанотехнологий микроэлектроники РАН Год: 2018 Страниц: 280 Язык: русский Формат: pdf Размер: 16.6 MB
В коллективной монографии излагаются физические процессы и механизмы, приводящие к снижению эффективности преобразования неэлектрических величин в электрический ток. Изучается природа возрастания обратных токов р-п-переходов и диодов Шоттки связанная с образованием рекомбинационных центров в областях пространственного заряда этих приборов. Разработана модель переноса носителей заряда, которая объединяет и обобщает известные механизмы формирования обратных токов, а именно: диффузионный, прыжковый и туннельный, формулирует критерии преобладания конкретного механизма. В работе рассчитана вероятность электронных переходов с учетом электрон-фононного взаимодействия, которая объясняет быстрое нарастание обратных токов с ростом приложенного напряжения. В монографии развиваются методики определения параметров рекомбинационных центров и электрон-фононного взаимодействия, рассчитываются обратные токи и эффективность преобразователей. На конкретных примерах показаны причины снижения эффективности приемников рентгеновского излучения, ядерных батареек, регистраторов частиц высоких энергий.
Преобразование разнообразных неэлектрических сигналов в электрические занимает в современной технике важное место. Это информационные системы контроля, принимающие сигналы от разнообразных датчиков, приемники излучений (оптического, рентгеновского), сигналы от частиц высоких энергий, "ядерные" батарейки и многие другие устройства. Преобразователь в обязательном порядке содержит полупроводниковый диод или транзистор, которые участвуют в процессе преобразования и усиления сигналов. Эффективность преобразования определяется величиной обратных токов. Механизмы их формирования достаточно сложные; именно они и являются главным предметом обсуждения в предлагаемой на суд читателей монографии.
Книга содержит материал, как обучающего, так и научного характера. Она будет полезна ученым и инженерам, работающим в полупроводниковой отрасли, а также студентами аспирантам, обучающимся в этом направлении.
Пленочные термоэлементы: физика и применение Название: Пленочные термоэлементы: физика и применение Автор: Гольцман Б.М., Дашевский З.М., Кайданов В.И., Коломоец Н.В. Издательство: Москва: Наука...
Физика полупроводниковых приборов Название: Физика полупроводниковых приборов Автор: Лебедев А.И. Издательство: ФИЗМАТЛИТ Год: 2008 Формат: pdf Страниц: 487 Размер: 40 Mb Язык:...
Физика полупроводниковых приборов микроэлектроники Название: Физика полупроводниковых приборов микроэлектроники Автор: Старосельский В.И. Издательство: М.: Высшее образование ISBN: 978-5-9692-0261-0...
Твердотельная электроника Название: Твердотельная электроника Автор: Гуртов В. А. Издательство: Техносфера Серия: Мир электроники Год издания: 2008 Страниц: 512 ISBN:...
Новая физика электронных приборов Название: Новая физика электронных приборов Автор: Багницкий В.Е. Издательство: LAP Год: 2014 Формат: doc, fb2 ISBN: 978-3-659-52152-2 Размер: 13,4...
Информация
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикации.
Навигация
Вход на сайт
Реклама
Физика полупроводниковых преобразователей 
Название: Физика полупроводниковых преобразователей
