 Название: Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения
Автор: Таперо К. И., Улимов В. Н., Членов А. М.
Издательство: Лаборатория знаний
Год: 2021
Cтраниц: 307
Формат: pdf
Размер: 22 мб
Язык: русский
В монографии анализируется влияние ионизирующих излучений (ИИ), преимущественно космического пространства, на характеристики изделий микро- и наноэлектроники. Рассмотрены: основы физики взаимодействий ИИ с полупроводниками; изменение электрофизических параметров приборных структур в результате образования наноразмерных дефектов под действием ИИ; дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO2 и их влияние на характеристики приборов и микросхем; особенности радиационных испытаний изделий, изготовленных по МОП-, КМОП-, а также по биполярной технологии, на стойкость к воздействию низкоинтенсивного ИИ; одиночные события в изделиях микро- и наноэлектроники при воздействии отдельных заряженных частиц. Для технических специалистов, работающих в области электроники, а также для студентов и аспирантов.
Скачать Таперо К. И., Улимов В. Н., Членов А. М. Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения
|
Навигация
Вход на сайт
Реклама
Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения 
