Предисловие
Введение
Глава 1. Физические принципы наноэлектроники
Глава 2. Кремниевая одноэлектроника
Глава 3. Оптические и фотоэлектрические свойства квантово-размерных структур Si—Ge
Глава 4. Методы получения самоорганизованных Si—Ge- наноструктур
Глава 5. Синтез проводящих и полупроводниковых соединений в кремнии
Глава 6. Формирование наноразмерных структур при ионном распылении поверхности полупроводников
Глава 7. Нанокристаллы кремния, получаемые разными способами
Глава 8. Квантовые точки из монокристаллического Si, сформированные ионной имплантацией в пленках SiO2
Глава 9. Перспективы кремниевой наноэлектроники
Заключение
Список принятых сокращений